[发明专利]一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及电路制备方法，在衬底上生长N型Si外延，制备深槽隔离，形成集电极接触区，干法刻蚀形成氮化物侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光刻集电极窗口，去掉Poly-Si，形成SiGeHBT器件；光刻MOS器件有源区沟槽，在MOS器件有源区沟槽中分别连续生长Si缓冲层、渐变SiGe层、固定组分SiGe层、N型应变Si沟道层和Si缓冲层等，制备漏极和栅极，形成PMOS器件；制备NMOS器件栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；充分利用张应变Si材料迁移率各向异性的特点，制备出性能增强BiCMOS集成器件及电路。

主权项

一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及电路，其特征在于，NMOS器件和PMOS器件均为应变Si MOS器件，双极器件为SOI 三多晶SiGe HBT。