[发明专利]一种混合晶面垂直沟道Si基BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种混合晶面垂直沟道Si基BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延，形成集电区，依次湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，制备Poly-Si发射区和Poly-Si发射极与集电极，形成SiGe HBT器件；分别光刻NMOS和PMOS器件有源区沟槽，沿不同晶面选择性生长在NMOS和PMOS器件有源区沟槽内生长相应的有源层，在PMOS器件有源区上制备漏极和栅极，形成PMOS器件；在NMOS器件有源区制备栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；光刻引线，构成混合晶面垂直沟道Si基BiCMOS集成器件及电路；本发明的混合晶面垂直沟道Si基BiCMOS器件中SiGe HBT器件的三个电极都采用多晶硅，且CMOS器件在制造过程中充分利用了应变Si材料迁移率各向异性的特点，制备出了性能增强的BiCMOS集成电路。

主权项

一种混合晶面垂直沟道Si基BiCMOS集成器件，其特征在于，所述混合晶面垂直沟道Si基BiCMOS集成器件采用SOI SiGe HBT器件，应变Si平面沟道NMOS器件和应变Si垂直沟道PMOS器件。