[发明专利]一种应变SiGe垂直CMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种应变SiGe垂直CMOS集成器件及制备方法，在600～780℃，在衬底NMOS和PMOS有源区上分别连续生长N型Si外延层、N型应变SiGe层、P型应变SiGe层、N型应变SiGe层、N型Si层和N型Si层、N型应变SiGe层、N型Si帽层，并在它们之间形成隔离，在NMOS有源区分别制备漏极、栅极和源区，完成NMOS制备；接着，在PMOS有源区淀积SiO2和Poly-Si，制备虚栅极，淀积介质层形成栅侧墙，利用自对准工艺注入形成PMOS源、漏；刻蚀虚栅，淀积SiON和W-TiN分别做为栅介质和复合金属栅，完成PMOS制备，形成应变SiGe垂直CMOS集成器件及电路。本发明充分利用了应变SiGe材料在垂直方向电子迁移率和水平方向空穴迁移率高于弛豫Si的特点，在低温工艺下，制造出性能增强的应变SiGe CMOS集成器件及电路。

主权项

一种应变SiGe垂直CMOS器件，其特征在于，沟道区为应变SiGe材料，且NMOS在沟道方向为张应变，PMOS在沟道方向为压应变。