[发明专利]多籽晶非对称(110)/(110)取向诱导生长REBCO高温超导块体的方法有效
| 申请号： | 201210244120.7 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102747416A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 姚忻;程玲;郭林山;吴越珅 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多籽晶诱导生长REBCO超导块体的方法，包括步骤：制备RE123相和RE211相的粉末；制备前驱体；将多个籽晶非等间距地放置在前驱体的上表面，这些籽晶是c轴取向的NdBCO/MgO薄膜，该薄膜与前驱体的上表面相接触的表面是其ab面；将前驱体与多个籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长REBCO超导块体，这些籽晶在前驱体上诱导生长REBCO晶体，这些REBCO晶体两两之间在其生长前沿彼此相对的对角处相遇并生长成一个整体。本发明通过合适地安排各个籽晶方向和间距，实现了在REBCO超导块体的生长过程中有效地排除晶界处的残余熔体，从而提高了超导块材的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 对称 110 取向 诱导 生长 rebco 高温 超导 块体 方法 | ||
【主权项】：
一种多籽晶诱导生长REBCO超导块体的方法，其特征在于，包括步骤：第一步、制备RE123相和RE211相的粉末；第二步、制备前驱体；第三步、将多个籽晶放置在所述前驱体的上表面，所述籽晶是c轴取向的NdBCO/MgO正方形薄膜，所述薄膜具有第一对边和第二对边，所述第一对边沿<100>或<010>晶向，所述第二对边沿<100>或<010>晶向，所述薄膜与所述前驱体的所述上表而相接触的表面是所述籽晶的ab面，放置在所述前驱体的所述上表面的所述多个籽晶的所述第一对边彼此平行，所述多个籽晶的所述第二对边彼此平行；第四步、将所述前驱体与所述多个籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长REBCO超导块体，在所述熔融结构生长的过程中，所述多个籽晶在所述前驱体上诱导生长REBCO晶体，所述多个REBCO晶体两两之间在其生长前沿彼此相对的对角处相遇并生长成一个整体。
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