[发明专利]一种基于SiGe HBT的三应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于SiGe HBT的三应变BiCMOS集成器件及制备方法，在衬底片上制备埋层，连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，淀积介质层，制备深槽隔离，制备集电区、基区和发射区，形成集电极、基极和发射极接触区，形成SiGe HBT器件；刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区深槽，在槽中分别选择性外延生长：P型Si层/P型SiGe渐变层/P型SiGe层/P型应变Si层作为NMOS器件有源区和N型Si层/N型应变SiGe层/N型Si帽层作为PMOS器件有源区；制备虚栅极、侧墙，自对准形成NMOS和PMOS器件源漏；刻蚀虚栅，淀积SiON栅介质层和W-TiN复合栅，形成CMOS结构，最终构成三应变BiCMOS集成器件及电路，充分利用电子迁移率高的张应变Si和空穴迁移率高的压应变SiGe分别作为NMOS和PMOS器件的导电沟道，有效地提高了BiCMOS集成电路的性能。

主权项

1. 一种基于SiGe HBT的三应变BiCMOS集成器件，其特征在于，构成该BiCMOS集成器件的三种器件分别为：应变Si平面沟道 NMOS器件、应变SiGe平面沟道PMOS器件及SiGe HBT器件。