[发明专利]一种测量黑硅材料与金属电极之间欧姆接触电阻率的方法

摘要

本发明提供了一种测量黑硅材料与金属电极之间欧姆接触电阻率的方法，其方案为：针对在单晶硅表面通过刻蚀得到的黑硅材料，在其表面用欧姆接触制备工艺沉积至少6个圆点形金属电极；在单晶硅背面沉积金属对电极；使用热压焊工艺从每一个圆点形金属电极的内接触圆引出极细的金属线，然后分别将金属丝键合到面积较大的外引电极上；用可变电压源在每一圆点形金属电极与对电极之间持续提供恒定的反向电压偏置，确保黑硅/单晶硅异质结完全反偏；在确保黑硅/单晶硅异质结完全反偏的条件下，通过圆点形传输线模型法对金属/黑硅比接触电阻率进行测试。

主权项

一种测量黑硅材料与金属电极之间欧姆接触电阻率的方法，包括以下步骤：步骤1：在黑硅材料表面制备圆点形欧姆接触电极；a）针对单晶硅表面刻蚀得到的黑硅材料，在其表面制备至少6个圆点形金属电极；b）每个圆点形电极由一个半径为r0的内接触圆和一个内径逐渐增加的外接触圆组成，其中，外接触圆内径为rn，且每个外接触圆内径分别为r1、r2、r3、r4、r5、r6，(rn‑r0)是没有任何金属的空心圆环，rn对应的空心圆环以外则仍是欧姆接触；步骤2：搭建反向偏置电路；a）在单晶硅背面制备金属对电极；b）使用热压焊工艺从每一个圆点形金属电极的内接触圆引出极细的金属丝，然后分别将金属丝键合到面积较大的外引电极上；步骤3：用可变电压源在每个圆点形金属电极的内接触圆与对电极之间持续提供恒定的反向电压偏置，让黑硅/单晶硅异质结完全反偏；步骤4：在确保黑硅/单晶硅异质结完全反偏的条件下，通过圆点形传输线模型法对金属/黑硅比接触电阻率进行测试。