[发明专利]磁性随机存取存储器有效
| 申请号： | 201210223483.2 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103021449A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 北川英二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李渤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够实现高速工作的磁性存储器。本实施方式的磁性存储器具备：磁阻效应元件，具有根据自旋注入写入而磁化的方向不变的第1磁性层、磁化的方向可变的第2磁性层、以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的隧道势垒层；第1布线，与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的一个磁性层电连接；选择晶体管，该选择晶体管的源极/漏极中的一个与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第2布线，与所述选择晶体管的源极/漏极中的另一个电连接；二极管，该二极管的一个端子与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第3布线，与所述二极管的另一端子电连接；以及读出放大器，与所述第3布线电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种磁性存储器，其特征在于，具备：磁阻效应元件，具有根据自旋注入写入而磁化的方向不变的第1磁性层、磁化的方向可变的第2磁性层、以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的隧道势垒层；第1布线，与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的一个磁性层电连接；选择晶体管，该选择晶体管的源极/漏极中的一个与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第2布线，与所述选择晶体管的源极/漏极中的另一个电连接；二极管，该二极管的一个端子与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第3布线，与所述二极管的另一端子电连接；以及读出放大器，与所述第3布线电连接。
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