[发明专利]一种发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 201210219051.4 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103515489A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 杨杰 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;B23K26/362 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的制造方法，先于厚蓝宝石衬底表面生长N-GaN层量子阱层、P-GaN层及透明导电层，然后定义发光外延阵列并制备电极，接着对所述蓝宝石衬底进行激光内切处理，形成至少两层与各该发光外延阵列对应且距离所述蓝宝石衬底上表面不同深度的内切图案，最后依据所述内切图案进行裂片，以完成所述发光二极管的制造。采用激光内切技术在后蓝宝石衬底中形成两层或多层内部层次结构的变化，提高了芯片的易裂程度和裂片的良率，且降低减薄所述蓝宝石衬底的时间和成本；裂片后的厚蓝宝石衬底侧壁为粗糙表面，降低了光线在侧壁的全反射，增加了侧壁的出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括步骤：1）提供一蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底上表面形成至少包括N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层及透明导电层的发光外延层；2）于所述发光外延层定义出多个发光外延阵列，刻蚀各该发光外延阵列的透明导电层、P‑GaN层及量子阱层直至露出所述N‑GaN层，形成N电极制备区域；3）于各该发光外延阵列的透明导电层上制备P电极，并于各该N电极制备区域制备N电极；4）对所述蓝宝石衬底进行激光内切处理，形成至少两层与各该发光外延阵列对应且距离所述蓝宝石衬底上表面不同深度的内切图案；5）依据所述内切图案进行裂片，以完成所述发光二极管的制造。
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