[发明专利]通过镶嵌工艺制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210209370.7 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103165538B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘载善 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括在底层结构之上形成通过多个沟槽彼此隔离的多个隔离图案；形成填充在所述沟槽中的多个导线，通过去除所述隔离图案的第一部分来形成接触孔，其中通过所述多个导线以及在去除隔离图案的第一部分之后留下的隔离图案的第二部分来限定接触孔；以及形成填充在所述接触孔中的插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 镶嵌 工艺 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在底层结构之上，形成通过多个沟槽彼此隔离的多个隔离图案；形成填充在所述沟槽中的多个导线；通过去除所述隔离图案的第一部分来形成接触孔，其中，通过所述多个导线以及在去除隔离图案的第一部分之后留下的隔离图案的第二部分来限定接触孔；以及形成填充在所述接触孔中的插塞，其中，所述隔离图案具有线的形式，每一个都包括第一层和相对于所述第一层具有刻蚀选择性的第二层的层叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
