[发明专利]一种生长纯净准单晶的铸锭热场有效
| 申请号： | 201210205228.5 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102732947A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张志强;黄振飞;刘振准 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长纯净准单晶的铸锭热场，具有上炉体、下炉体，所述的上炉体、下炉体形成的空腔内设有石英陶瓷坩埚，石英陶瓷坩埚外壁与侧部主加热器之间设有移动式副加热器，移动式副加热器与副加热器电极连接，副加热器电极穿过上炉体与副加热器电极移动装置连接，副加热器电极移动装置安装在上炉体上，副加热器电极移动装置通过副加热器电极带动移动式副加热器上、下移动，移动式副加热器自下向上移动的速度曲线与石英陶瓷坩埚内单晶硅籽晶的长晶速度曲线一致。本发明能够阻止固液界面前沿的石英陶瓷坩埚壁面上晶核的产生和向内生长，生长纯净准单晶晶棒的比例较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 纯净 准单晶 铸锭 | ||
【主权项】：
一种生长纯净准单晶的铸锭热场，具有上炉体、下炉体，所述的上炉体、下炉体形成的空腔内设有石英陶瓷坩埚，所述的石英陶瓷坩埚外壁外侧设有侧部主加热器，所述的石英陶瓷坩埚顶部设有顶部主加热器，其特征在于：所述的石英陶瓷坩埚外壁与侧部主加热器之间设有移动式副加热器，所述的移动式副加热器与副加热器电极连接，所述的副加热器电极穿过上炉体与副加热器电极移动装置连接，所述的副加热器电极移动装置安装在上炉体上，所述的副加热器电极移动装置通过副加热器电极带动移动式副加热器上、下移动，所述的移动式副加热器自下向上移动的速度曲线与石英陶瓷坩埚内单晶硅籽晶的长晶速度曲线一致。
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