[发明专利]在半导体上镀铜有效
| 申请号： | 201210189836.1 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102787338A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | G·哈姆;J·A·里斯;魏凌云 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D3/38;C25D5/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用单价镀铜浴对半导体晶片正面(front side)的导电轨或发射面(emitter side)进行金属化。通过电镀或LIP，铜选择性地沉积在导电轨上。导电轨可以通过使用常规的金属镀浴再次金属化。金属化的半导体可用于光伏器件的制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 镀铜 | ||
【主权项】：
一种方法，该方法包括：a)提供一种包括正面，背面和PN结的半导体，所述正面包括具有底层的导电轨图案，所述背面包括金属接触件；b)使半导体与单价镀铜组合物接触；以及c)在导电轨的底层上镀覆铜层。
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