[发明专利]相变随机存取存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201210183163.9 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456881A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变随机存取存储器的制造方法，包括在基底上形成氧化层，在氧化层中刻蚀形成一沟槽；在沟槽中依次覆盖第一阻挡层、填充金属层；对所述金属层和第一阻挡层进行回刻蚀工艺，以去除位于所述金属层侧壁的第一阻挡层和部分金属层，在所述金属层和所述氧化层之间形成空隙；在所述氧化层和金属层上形成第二阻挡层，第二阻挡层填充所述空隙；刻蚀去除位于所述金属层上的第二阻挡层；在所述金属层及第二阻挡层上形成相变材料层。本发明所述相变随机存取存储器的制造方法通过在所述金属层和所述氧化层之间形成空隙，能够精确控制作为底部电接触的金属层的直径宽度，从而能够形成直径宽度更小的底部电接触，进而提高随机存取存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变随机存取存储器的制造方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成氧化层，并刻蚀所述氧化层形成一沟槽；在所述沟槽中依次覆盖第一阻挡层和填充金属层；对所述金属层和第一阻挡层进行回刻蚀工艺，所述第一阻挡层的刻蚀速率大于所述金属层的刻蚀速率，以去除位于所述金属层侧壁的第一阻挡层和部分金属层，在所述金属层和所述氧化层之间形成空隙；在所述氧化层和金属层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层填充所述空隙；刻蚀去除位于所述金属层上的第二阻挡层；以及在所述金属层及第二阻挡层上形成相变材料层。
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