[发明专利]一种实现多晶硅铸锭炉冷却的方法及冷却装置在审

专利信息
申请号: 201210177335.1 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN102912412A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 樊海艳 申请(专利权)人: 沈阳森之洋光伏科技有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 俞鲁江
地址: 110141 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开一种实现多晶硅铸锭炉冷却的方法,基于现有结构的铸锭炉,将铸锭炉内的隔热笼结构进行改进;第一步,首先在铸锭炉的隔热笼内增加一隔温装置,将隔热笼内形成两个封闭的腔室;第二步,然后在其中上腔室内设有上加热器、坩埚和下加热器,通过关闭隔温装置,启动上加热器和下加热器同时加热,使坩埚内的硅料熔化;第三步,在隔温装置下方设有换热装置;第四步,控制隔温装置开口的大小来控制冷气量,控制晶硅均匀生长。该冷却方法通过隔热门,巧妙地将炉内冷热分隔开;该方法通过控制上下加热器的功率,形成上下温度梯度,通过打开隔热门的每层可以控制开口的大小来控制通气量,控制冷却速度;该方法结构简单,操作方便。
搜索关键词: 一种 实现 多晶 铸锭 冷却 方法 装置
【主权项】:
一种实现多晶硅铸锭炉冷却的方法,基于现有结构的铸锭炉,其特征在于:将铸锭炉内的隔热笼结构进行改进;第一步,首先在铸锭炉的隔热笼内增加一隔温装置,将隔热笼内形成两个封闭的腔室;第二步,然后在其中上腔室内设有上加热器、坩埚和下加热器,通过关闭隔温装置,启动上加热器和下加热器同时加热,使坩埚内的硅料熔化;第三步,在隔温装置下方设有换热装置;第四步,控制隔温装置开口的大小来控制冷气量,控制晶硅均匀生长。
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