[发明专利]滑动装置和采用该滑动装置的滑动系统无效

申请号：	201210175177.6	申请日：	2012-05-30
公开（公告）号：	CN102808163A	公开（公告）日：	2012-12-05
发明（设计）人：	广濑正明;铃木义信;足立幸志	申请（专利权）人：	株式会社电装;国立大学法人东北大学
主分类号：	C23C16/26	分类号：	C23C16/26;C23C16/40;C23C16/42;C23C14/06;C23C14/08;F02F3/10
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	陈松涛;夏青
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	在滑动装置（10）中，第一基础构件（11）和第二基础构件（12）相对于彼此滑动。将硬碳膜（13）设置在所述第一基础构件（11）的第一表面（11a）和与所述第一基础构件（11）的第一表面（11a）相对的第二基础构件（12）的第二表面（12a）中的至少一个表面上。此外，将中间层（14）设置在所述硬碳膜（13）与所述第一基础构件（11）的第一表面（11a）和所述第二基础构件（12）的第二表面（12）中的所述一个表面之间。所述中间层（14）由含有硅和氧的化合物构成。
搜索关键词：	滑动装置采用系统
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【主权项】：

一种滑动装置，包括：具有第一表面（11a）的第一基础构件（11）；具有第二表面（12a）的第二基础构件（12），所述第二表面（12a）与所述第一表面（11a）相对，所述第一基础构件（11）和所述第二基础构件（12）相对于彼此滑动；设置在所述第一基础构件（11）的所述第一表面（11a）和所述第二基础构件（12）的所述第二表面（12a）中的至少一个表面上的硬碳膜（13）；以及设置在所述硬碳膜（13）与所述第一基础构件（11）的所述第一表面（11a）和所述第二基础构件（12）的所述第二表面（12a）中的所述一个表面之间的中间层（14），所述中间层（14）由含有硅和氧的化合物构成。

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摘要：本发明公开了一种提升铁基金属材料表面镀膜基结合力的加工方法，其特征在于，在所述铁基金属材料表面生长碳纳米管阵列，主要包括如下步骤：1)、活化热处理铁基金属材料；2)、其次采用化学气相沉积法在铁基金属材料表面沉积碳纳米管阵列；3)、最后采用pvd方法在铁基金属材料上生长金属氮化物，所述金属氮化物部分填充于碳纳米管阵列间隙中，且其总厚度大于所述碳纳米管阵列的沉积厚度。这种加工方法通过在金属氮化物薄膜与铁基金属材料的界面区域合理构筑中间层，从而有效提升薄膜的结合力，增加薄膜的服役寿命。

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摘要：本发明公开了一种化学气相合成超薄碳纳米片的方法。本发明采用固体催化剂模板，气相碳源合成超薄碳纳米片，碳纳米片尺寸大、厚度小。超薄碳纳米片可用于锂离子电池及钠离子电池等能源存储器件。

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摘要：本发明公开了一种三维结构石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，首先是将泡沫铜进行超声清洗，然后进行泡沫铜的过量浸渍镍，然后在泡沫铜基体上制备三维石墨烯，即得到三维结构石墨烯增强铜基复合材料；本发明通过在泡沫铜基体上浸渍镍，在泡沫铜的大孔径内填充一些微细的镍可以增大催化面积，使CVD法生长的石墨烯，使得碳原子在泡沫铜表面迁移和向内部扩散的时候，可以具备较为完善的三维网络结构，提高网络的机械强度，使之更好地增强金属基复合材料的强度。

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摘要：本发明公开了一种热阳极法生产高性能类金刚石的装置，所述阴极弧源与真空腔体之间通过交流电源连接，且真空腔体的左侧设置有位于前后侧的第三磁场和第二磁场，所述真空腔体的内腔右侧设置有热阳极，且热阳极与左侧的阴极弧源之间设置有隔离板，所述真空腔体上开设有与热阳极对应的气体进入口，且热阳极与真空腔体之间通过直流电源连接。其使用方法包括以下步骤：S1靶材选择、S2热阳极选择、S3气体选择和S4阴极弧源设置。在该发明中，我们使用的是阴极弧源和热阳极来离化含C的气体，其离化电流高达100‑400A,可以稳定的高速沉积含H比较小的致密的优质的金刚石,其含H量小于15％，沉积速度可以达到8微米/小时。

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摘要：本发明公开了一种金属表面原位生长多晶石墨烯防腐薄膜的方法和装置，通过提供一个一端开口的反应器，利用在常压环境下电磁感应加热液态碳源在金属表面快速生长多晶石墨烯，可方便实现在金属表面大面积快速制备石墨烯薄膜。所制备的多晶石墨烯薄膜可以有效防止水汽、氧气、酸根等离子的渗透，大大提高了金属的化学防腐蚀性能，极大提高了金属的使用寿命，解决了防腐涂层制备工艺复杂、薄膜和金属表面的结合问题。此外，生长的超薄的多晶石墨烯涂层对金属性能没有大的影响。

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摘要：一种碳纤维膜的制备方法，包括以下步骤：提供至少一生长基底，在每一生长基底的一表面生长一碳纳米管阵列；从每一碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管膜，将该碳纳米管膜穿过一反应室；给所述碳纳米管膜分别施加一负电压；以及同时向反应室内通入载气和碳源气体，并控制温度，使反应室内的每一碳纳米管膜形成一碳纤维膜。

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摘要：本发明涉及一种快速制备垂直石墨烯的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的基片台上；（2）将螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的真空抽至本底真空；（3）往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入Ar，Ar的流量为10‑80sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz‑60 MHz、射频功率为300‑5000W，调节直流电源使轴向磁场强度为100‑10000 Gs；（4）继续通入Ar，Ar的流量为10‑80sccm，同时往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入CH₄，CH₄的流量为50‑200sccm，在衬底上沉积垂直石墨烯。本发明制备步骤简单，无需加热，对衬底的适用范围宽，能够在衬底上沉积不同形态的垂直石墨烯，制备速度快，制备质量高，且便于实际应用。

一种在Ca-P基生物涂层中实现碳纳米管均匀分散的方法-201710469681.X
发明人：李贺军;刘守杰;张磊磊;孙佳佳 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C23C16/26
摘要：本发明涉及一种在Ca‑P基生物涂层中实现碳纳米管均匀分散的方法，通过在碳/碳复合材料表面脉冲电沉积Ca‑P基生物涂层后，对其再进行脉冲电沉积处理，使催化剂铁均匀分散在Ca‑P基生物涂层中，然后以二甲苯为碳源，乙二胺为助长剂，化学气相沉积碳纳米管，最终实现碳纳米管在Ca‑P基生物涂层中均匀分散。有益效果：碳纳米管均匀贯穿在由Ca‑P生物涂层中，最终形成均匀分散的碳纳米管与由Ca‑P生物涂层紧密结合的复合涂层。

一种复合薄膜的制备方法-201610326908.0
发明人：张伟;吉小超;于鹤龙;王红美;汪勇;杜军;周新远 -专利权人：北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造产业技术研究有限公司;中国人民解放军装甲兵工程学院
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C23C16/26
摘要：本发明提供了一种复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)在基底表面制备金属催化剂薄膜，将表面制备有金属催化剂薄膜的基底再置于PECVD设备的反应腔体中，将所述反应腔体加热，通入载气与碳源气体，接通电源，反应后得到阵列碳纳米管薄膜；B)关闭电源，停止通入碳源气体，向所述反应腔体中继续通入载气，接通电源对碳纳米管薄膜进行刻蚀后关闭电源；C)将所述反应腔体冷却，通入反应气体后接通电源，反应后得到复合薄膜。本发明提供了一种原位复合薄膜的制备方法。该方法利用等离子体增强化学气相沉积方法在基底上制备阵列的碳纳米管薄膜，在此基础上继续制备所需要的薄膜，通过控制工艺，实现基体薄膜与碳纳米管的复合。

铜基石墨烯复合材料的制备方法和铜基石墨烯复合材料-201810078142.8
发明人：章潇慧;熊定邦;曹沐;陈朝中;张丽娇;张荻 -专利权人：中车工业研究院有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C23C16/26
摘要：本申请提供的铜基石墨烯复合材料的制备方法，包括：采用电化学抛光工艺对原始板状铜基底进行预处理，得到预处理后的铜基底，其中，上述原始板状铜基底的厚度为5μm～25μm；采用化学气相沉积工艺在预处理后的铜基底的上下表面生长石墨烯，得到石墨烯包覆铜基底；对至少一片石墨烯包覆铜基底进行热压烧结处理，得到铜基石墨烯复合材料，上述铜基石墨烯复合材料为由石墨烯和铜基底交替复合形成的层状复合材料，铜基底在所述铜基石墨烯复合材料的厚度方向上呈单晶态，且呈(111)晶面择优取向。本申请提供的铜基石墨烯复合材料的制备方法，可制备出电导率较高的铜基石墨烯复合材料。

一种制备碳纳米管阵列-石墨烯混合结构的简易方法-201610413708.9
发明人：王立;郭守晖;范定环 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C23C16/26
摘要：一种制备碳纳米管阵列‑石墨烯混合结构的方法，属于纳米材料及其制备技术领域。该方法将硅基体放入充满Ar、N₂等惰性气体氛围石英管中，通入Ar、N₂等惰性气体并升温至生长温度；然后对预先放入石英管内的碳源和催化剂的混合物加热到合适的温度并向石英管内通入一定量的H₂，可获得碳纳米管阵列‑石墨烯的混合结构。本发明方法具有制备工艺简单，无须分别生长碳纳米管阵列与石墨烯，可简易一步实现碳纳米管阵列‑石墨烯混合结构的制备。有效提高了制备碳纳米管阵列‑石墨烯混合结构的效率，简化了生长流程、缩短了生长时间，降低了制备的成本和能耗。

一种(2m，m)碳纳米管水平阵列及其制备方法-201611040477.8
发明人：张锦;张树辰 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C23C16/26
摘要：本发明公开了一种(2m，m)碳纳米管水平阵列及其制备方法。所述方法包括如下步骤：将铵盐转移至基底上，然后进行退火处理，铵盐为钼酸铵或钨酸按；采用氢气对铵盐进行还原；还原步骤结束后，向反应容器中通入碳源气进行生长，即得。本发明(2m，m)碳纳米管水平阵列，其中的碳纳米管的管径为0.7～1.3nm，长度为100～300μm。本发明采用的催化剂为碳化物，其催化活性较高，较现有的金属催化剂具有更高的活性，这是本发明能够获得密度较高的碳纳米管的关键。本发明采用的催化剂碳化钼的熔点较高，能够保持固体形态，因此能够获得手性选择性极高的碳纳米管。本发明选用单晶基底作为生长基底，由于单晶基底具有二重对称性，因此生长得到的碳纳米管具有很高的阵列性。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]滑动装置和采用该滑动装置的滑动系统无效

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