[发明专利]GaN基LED网孔电极的制作方法有效
| 申请号： | 201210174972.3 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102709433A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王家鑫;吴奎;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤：1)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜；2)在ITO膜的表面排列一单层紧密排列的自组装球；3)加热，使自组装球与ITO膜结合牢固；4)采用ICP方法，刻蚀自组装球，经过刻蚀后，自组装球间距变大，球半径减小；5)再加热，使自组装球在ITO膜表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装球的表面、间隙里及ITO膜的表面蒸镀金属；7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属，保留ITO膜表面金属；8)高温处理，使自组装球气化，使ITO膜表面的金属形成网孔状电极，完成网孔电极的制作。具有电极的接触电阻小、透过率高、出光效率高以及电流分布均匀的优点。 | ||
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【主权项】：
一种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤：1)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜；2)在ITO膜的表面排列一单层紧密排列的自组装球；3)加热，使自组装球与ITO膜结合牢固；4)采用ICP方法，刻蚀自组装球，经过刻蚀后，自组装球间距变大，球半径减小；5)再加热，使自组装球在ITO膜表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装球的表面、间隙里及ITO膜的表面蒸镀金属；7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属，保留ITO膜表面金属；8)高温处理，使自组装球气化，使ITO膜表面的金属形成网孔状电极，完成网孔电极的制作。
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