[发明专利]一种改善空隙填充能力的方法在审
| 申请号： | 201210166464.0 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103426723A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;洪文田;赵丹;朱东亮 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 贺小明 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种改善空隙填充能力的方法，包括以下步骤：步骤1.蚀刻形成一具有一定深宽比的间隔区，步骤2.对间隔区进行二次蚀刻，步骤3.按照方法需要对间隔区进行相应填充；本发明在传统方法的基础上加入一到二次蚀刻（酸洗）过程，降低了间隔区的深宽比，增强了芯片制作中的空隙填充能力，随着空隙填充能力的增强，填充过程中，出现孔隙的可能性减小，从而由于孔隙而引起的电路短接等问题产生的可能性亦随之减小，即增强了芯片的电性稳定性，从而可以提高芯片成品的良率，提高经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 空隙 填充 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种改善空隙填充能力的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：蚀刻形成一具有一定深宽比的间隔区（1）；步骤2：对间隔区进行二次蚀刻；步骤3：按照方法需要对间隔区进行相应填充。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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