[发明专利]一种改善空隙填充能力的方法在审
| 申请号： | 201210166464.0 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103426723A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;洪文田;赵丹;朱东亮 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 贺小明 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 空隙 填充 能力 方法 | ||
1.一种改善空隙填充能力的方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1：蚀刻形成一具有一定深宽比的间隔区（1）；
步骤2：对间隔区进行二次蚀刻；
步骤3：按照方法需要对间隔区进行相应填充。
2.根据权利要求1所述的一种改善空隙填充能力的方法，其特征在于：步骤2所述的二次蚀刻采用DHF进行蚀刻。
3.根据权利要求2所述的一种改善空隙填充能力的方法，其特征在于：所述DHF浓度范围为90∶1~110∶1，停留时间范围为180s~360s。
4.根据权利要求3所述的一种改善空隙填充能力的方法，其特征在于：所述DHF浓度范围优选为100∶1，停留时间范围优选为270s。
5.根据权利要求1或2所述的一种改善空隙填充能力的方法，其特征在于：步骤3中的填充包括ILD填充。
6.根据权利要求1所述的一种改善空隙填充能力的方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤1：在ONO结构上通过蚀刻形成一具有一定深宽比的间隔区；
步骤2：采用DHF对间隔区进行二次蚀刻，DHF蚀刻停留时间根据不同的方法需要来确定，降低间隔区的深宽比；
步骤3：对间隔区进行ILD填充；
步骤4：进行金属钨薄膜生长。
7.一种芯片制作方法，其特征在于包括如下步骤:
步骤1：制作晶园，芯片的作为基板（2）；
步骤2：在步骤1制成的基板上生成氧化层、对氧化层进行光刻胶涂布、曝光、显影和烘烤；
步骤3：进行酸蚀刻，形成具有一定深宽比的间隔区；
步骤4：采用DHF进行二次蚀刻，降低步骤3中的深宽比；
步骤5：清洗甩干；
步骤6：进行等离子体浴和金属蚀刻，去除光刻胶，制作金属薄膜，在芯片中制造通路；
步骤7：进行离子注入制作，根据需要改变部分区域的电学特性；
步骤8：对芯片进行后封装。
8.根据权利要求7所述的一种芯片制作方法，其特征在于：步骤7所述离子注入制作包括ILD空隙填充。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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