[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成复合层，复合层包括：位于半导体衬底表面的单层或若干层重叠的牺牲层、以及位于各层牺牲层表面的半导体层，当牺牲层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时，半导体层的材料为硅或锗，或当半导体层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时，牺牲层的材料为硅或锗；在复合层两侧的半导体衬底表面形成支撑部，支撑部的顶部不低于位于顶层的半导体层的表面；在形成支撑部后，刻蚀去除牺牲层；之后在半导体层表面形成栅极结构，在支撑部内形成源/漏区。所形成的晶体管漏电流减少，偏置温度稳定，性能良好。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成复合层，所述复合层包括：位于所述半导体衬底表面的单层或若干层重叠的牺牲层、以及位于各层牺牲层表面的半导体层，当所述牺牲层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时，所述半导体层的材料为硅或锗，或当所述半导体层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时，所述牺牲层的材料为硅或锗；在所述复合层两侧的半导体衬底表面形成支撑部，所述支撑部的顶部不低于位于顶层的半导体层的顶部表面；在形成所述支撑部后，刻蚀去除所述牺牲层；在去除牺牲层后，在所述半导体层表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成栅电极层；在所述支撑部内进行离子注入形成源/漏区。