[发明专利]薄型射频噪声抑制材料及其制备方法有效
申请号: | 201210160571.2 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102690468A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 蔡亚夫;朱时霖 | 申请(专利权)人: | 航天科工武汉磁电有限责任公司 |
主分类号: | C08L23/22 | 分类号: | C08L23/22;C08K3/08;C08J5/18 |
代理公司: | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人: | 魏殿绅;庞炳良 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄型射频噪声抑制材料及其制备方法,涉及电磁波辐射防护的吸波材料领域,制备方法的步骤如下:以质量比为(85~90)∶(5~10)∶(0~9)∶(0~9)的铁、硅、铬、铝为原料,组合形成铁基合金材料,并进行球磨片状化处理;将球磨片状化处理后的铁基合金材料和丁基橡胶按质量比(8~9)∶(2~1)进行混合,经塑混炼和压延成型后,形成薄型射频抑制材料片材。本发明在0.8GHz~10GHz频段内的反射损耗大于-5db,能够有效抑制电磁辐射干扰;具有高阻抗,能够应用于高度集成的电子PCB板级系统,满足当前电子产品的发展要求;易于裁切,能够适用于复杂表面的射频噪声抑制,应用范围广泛。 | ||
搜索关键词: | 射频 噪声 抑制 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄型射频噪声抑制材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、以质量比为(85~90)∶(5~10)∶(0~9)∶(0~9)的铁、硅、铬、铝为原料,组合形成铁基合金材料,并进行球磨片状化处理;B、将球磨片状化处理后的铁基合金材料和丁基橡胶按质量比(8~9)∶(2~1)进行混合,经塑混炼和压延成型后,形成薄型射频抑制材料片材。
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