[发明专利]薄型射频噪声抑制材料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电磁波辐射防护的吸波材料领域，特别是涉及一种薄型射频噪声抑制材料及其制备方法。

背景技术

随着电脑、通信、IT设备以及数码产品所使用的频段范围不断扩大，以及电子产品趋向高频段的发展方向，电子产品普遍存在电磁波干扰。同时随着环保要求的提高，许多的普通电子产品也对产品的电磁干扰提出了新的要求。电磁干扰可以发生在电子产品的任何部位，其结果是电子产品的品质因素下降，甚至影响其正常的工作性能，而且是不可逾期的。

目前流行的EMI(Electromagnetic interference，电磁干扰)解决方案是使用导电屏蔽材料解决电子产品的射频干扰问题，然而导电屏蔽材料会带来电磁波的自我反射干扰问题，或者因反射干扰产生的耦合作用导致其相邻的敏感器件被干扰。特别是在高度集成的电子PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)板级系统，会因为长时间工作在电磁干扰中，产生复杂的交叉串扰问题，仅靠屏蔽和接地技术难以得到彻底解决。

发明内容

本发明的目的是为了克服上述背景技术的不足，提供一种薄型射频噪声抑制材料及其制备方法，在0.8GHz～10GHz频段内的反射损耗大于-5db，能够有效抑制目前电子产品超薄发展带来的电磁辐射干扰；具有高阻抗，能够应用于高度集成的电子PCB板级的系统，满足了当前电子产品的发展要求；易于裁切，能够适用于复杂表面的射频噪声抑制，应用范围广泛。

本发明提供的薄型射频噪声抑制材料的制备方法，包括以下步骤：A、以质量比为(85～90)∶(5～10)∶(0～9)∶(0～9)的铁、硅、铬、铝为原料，组合形成铁基合金材料，并进行球磨片状化处理；B、将球磨片状化处理后的铁基合金材料和丁基橡胶按质量比(8～9)∶(2～1)进行混合，经塑混炼和压延成型后，形成薄型射频抑制材料片材。

在上述技术方案中，步骤A中所述铁、硅、铝的质量比为88.5∶7.5∶4.5。

在上述技术方案中，步骤A中所述铁、硅、铬的质量比为85∶10∶5。

在上述技术方案中，步骤A中所述铁、硅、铬、铝的质量比为88∶5∶4∶3。

在上述技术方案中，步骤A中将氧化锆球与铁基合金材料按12∶1的球料比球磨20小时，进行球磨片状化处理。

在上述技术方案中，步骤B中塑混炼的过程如下：将球磨片状化处理后的铁基合金材料和橡胶材料按比例混合后，在开炼机中碾压1小时后，制备成1mm厚的片材。

在上述技术方案中，所述塑混炼过程中铁基合金材料和丁基橡胶的质量比为8.5∶1.5。

在上述技术方案中，步骤B中压延成型的过程如下：将所述1mm厚的片材导入精密三辊压延机，当辊温控制在60℃时，压延成0.3mm以下厚度的片材出片，经冷却后收卷。

本发明提供的薄型射频噪声抑制材料，采用上述方法制备而成。

在上述技术方案中，所述薄型射频噪声抑制材料的厚度小于0.3mm，在0.8GHz～10GHz频段内的反射损耗大于-5db。

与现有技术相比，本发明的优点如下：

(1)本发明的薄型射频噪声抑制材料在狭小的空间中使用时，对0.8GHz～10GHz微波低频段的电磁波具有良好的噪声抑制性能，是具有较高磁导率损耗的吸收材料，在电磁波辐射到该材料上时，用弓形法测量有大于-5db(分贝)的反射损耗，可以用于手机、电脑、数码照相机、摄像机、电视等，能够有效抑制目前电子产品超薄发展带来的电磁辐射干扰。

(2)本发明的薄型射频噪声抑制材料具有高阻抗，能够应用于高度集成的电子PCB板级的系统，满足了当前电子产品的发展要求。

(3)本发明的薄型射频噪声抑制材料易于裁切，能够适用于复杂表面的射频噪声抑制，应用范围广泛。

(4)本发明的射频噪声抑制材料是一种厚度小于0.3mm的薄型连续片材，是具有高磁导率损耗的铁基合金材料和高分子橡胶基材混合而成的组合物，不需要经过硫化过程，并且具有极佳的柔韧性。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细描述。