[发明专利]薄型射频噪声抑制材料及其制备方法有效
申请号: | 201210160571.2 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102690468A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 蔡亚夫;朱时霖 | 申请(专利权)人: | 航天科工武汉磁电有限责任公司 |
主分类号: | C08L23/22 | 分类号: | C08L23/22;C08K3/08;C08J5/18 |
代理公司: | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人: | 魏殿绅;庞炳良 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 噪声 抑制 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄型射频噪声抑制材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
A、以质量比为(85~90)∶(5~10)∶(0~9)∶(0~9)的铁、硅、铬、铝为原料,组合形成铁基合金材料,并进行球磨片状化处理;
B、将球磨片状化处理后的铁基合金材料和丁基橡胶按质量比(8~9)∶(2~1)进行混合,经塑混炼和压延成型后,形成薄型射频抑制材料片材。
2.如权利要求1所述的薄型射频噪声抑制材料的制备方法,其特征在于:步骤A中所述铁、硅、铝的质量比为88.5∶7.5∶4.5。
3.如权利要求1所述的薄型射频噪声抑制材料的制备方法,其特征在于:步骤A中所述铁、硅、铬的质量比为85∶10∶5。
4.如权利要求1所述的薄型射频噪声抑制材料的制备方法,其特征在于:步骤A中所述铁、硅、铬、铝的质量比为88∶5∶4∶3。
5.如权利要求1至4中任一项所述的薄型射频噪声抑制材料的制备方法,其特征在于:步骤A中将氧化锆球与铁基合金材料按12∶1的球料比球磨20小时,进行球磨片状化处理。
6.如权利要求5所述的薄型射频噪声抑制材料的制备方法,其特征在于:步骤B中塑混炼的过程如下:将球磨片状化处理后的铁基合金材料和橡胶材料按比例混合后,在开炼机中碾压1小时后,制备成1mm厚的片材。
7.如权利要求6所述的薄型射频噪声抑制材料的制备方法,其特征在于:所述塑混炼过程中铁基合金材料和丁基橡胶的质量比为8.5∶1.5。
8.如权利要求6所述的薄型射频噪声抑制材料的制备方法,其特征在于:步骤B中压延成型的过程如下:将所述1mm厚的片材导入精密三辊压延机,当辊温控制在60℃时,压延成0.3mm以下厚度的片材出片,经冷却后收卷。
9.一种薄型射频噪声抑制材料,其特征在于:采用权利要求1至8中任一项所述的方法制备而成。
10.如权利要求9所述的薄型射频噪声抑制材料,其特征在于:所述薄型射频噪声抑制材料的厚度小于0.3mm,在0.8GHz~10GHz频段内的反射损耗大于-5db。
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