[发明专利]利用电子束熔炼制造高纯度多晶硅的装置及方法有效
| 申请号： | 201210158961.6 | 申请日： | 2012-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103420376A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张普允;李镇石;金儁秀;安永洙 | 申请（专利权）人： | 韩国能量技术研究院 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供用于制造高纯度多晶硅的装置和方法。所述装置包括：保持真空气氛的真空室；第一电子枪和第二电子枪，布置在真空室的上端，以将电子束照射到真空室中；硅熔炼单元，该硅熔炼单元放置在与第一电子枪对应的第一电子束照射区域，粉末状原料硅被供给到硅熔炼单元并且被第一电子束熔化；以及单向凝固单元，被放置在与第二电子枪对应的第二电子束照射区域，并且经由浇道与硅熔炼单元连接。所述单向凝固单元的下部形成有冷却通道，并且在内部设置有沿向下方向驱动的起熔块，使得从硅熔炼单元供给的熔融硅在通过所述第二电子束而保持熔融状态的同时，被所述起熔块沿向部方向传送，之后通过所述冷却通道沿从所述熔融硅的下部到上部的方向凝固。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电子束 熔炼 制造 纯度 多晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅制造装置，包括：保持真空气氛的真空室；第一电子枪和第二电子枪，布置在所述真空室的上端，以将电子束照射到所述真空室中；硅熔炼单元，该硅熔炼单元放置在与所述第一电子枪对应的第一电子束照射区域，粉末状原料硅被供给到所述硅熔炼单元并且被所述第一电子束熔化；以及单向凝固单元，被放置在与所述第二电子枪对应的第二电子束照射区域，并且经由浇道与所述硅熔炼单元连接，所述单向凝固单元的下部形成有冷却通道，并且在内部设置有沿向下方向驱动的起熔块，使得从所述硅熔炼单元供给的熔融硅在通过所述第二电子束而保持熔融状态的同时，被所述起熔块沿向下方向传送，之后通过所述冷却通道沿从所述熔融硅的下部到上部的方向凝固。
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