[发明专利]一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料有效
| 申请号： | 201210158661.8 | 申请日： | 2012-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102683587A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 沈波;孙明成;翟继卫 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于低操作电流相变存储器的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料。本发明的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料中单层Si薄膜和单层SnSe2薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Si薄膜的厚度为3~40nm，单层SnSe2薄膜的厚度为4~10nm；所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为75～210nm。基于本发明Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的相变存储器具有操作电流极低的优势，同时对数据的保持能力较强，可用于低操作电流相变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 相变 存储器 硒化锡 纳米 多层 复合 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
一种Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料，其特征在于，所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料中单层Si薄膜和单层SnSe2薄膜交替排列成多层膜结构；单层Si薄膜的厚度为3~40nm，单层SnSe2薄膜的厚度为4~10nm；所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为75～210nm。
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