[发明专利]一种高压NLDMOS静电保护结构有效
| 申请号： | 201210152866.5 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103426878A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;苗彬彬;王邦磷;邓樟鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压NLDMOS静电保护结构，在硅衬底上排列成多指状，包括：硅衬底上部形成有交替排列的高压N阱和高压P阱，器件左右最外侧的高压N阱中形成有相间排布的N型注入区和P型注入区，器件中间的高压N阱中形成有N型注入区，高压P阱中形成有相间排布N型注入区和P型注入区，多晶硅栅形成于高压N阱和高压P阱相接处的上方；所有高压P阱中的N型注入区和P型注入区相连接地，左右最外侧的高压N阱中的P型注入区与该高压N阱中一N型注入区相连接静电输入端，所有器件中间高压N阱中的N型注入区接静电输入端，所有多晶硅栅接信号端。本发明的高压NLMOS静电保护结构能提高现有NLDMOS器件静电自保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 nldmos 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种高压NLDMOS静电保护结构，在硅衬底上排列成多指状，其特征在于，包括：，硅衬底上部形成有交替排列的高压N阱和高压P阱，器件左右最外侧的高压N阱中形成有相间排布的N型注入区和P型注入区，器件中间的高压N阱中形成有N型注入区，高压P阱中形成有相间排布N型注入区和P型注入区，多晶硅栅形成于高压N阱和高压P阱相接处的上方；所有高压P阱中的N型注入区和P型注入区相连接地，左右最外侧的高压N阱中的P型注入区与该高压N阱中一N型注入区相连接静电输入端，所有器件中间高压N阱中的N型注入区接静电输入端，所有多晶硅栅接信号端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
