[发明专利]高导低损铁氧体材料、铁氧体薄膜及制备方法

摘要

高导低损铁氧体材料、铁氧体薄膜及制备方法，涉及电子材料。本发明包括主要成分和掺杂成份，其特征在于，主要成分和掺杂成份皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主要成分为：Fe2O3：50mol%，NiO：20mol%～30mol%，ZnO：15mol%～25mol%，CuO：5mol%；以重量百分比计算，掺杂成份为：CoO：0～1.2wt%，V2O5：0～1.2wt%。本发明的制备方法为普通氧化物法，操作和工艺流程简单无污染。制备出的铁氧体材料除了具有较高的磁导率外，损耗很小，其中在13.56M具有当μ′为100左右时，μ″小于2。且制得的铁氧体膜厚度和尺寸可调，表面光滑平整，密度轻。

主权项

高导低损铁氧体材料，包括主要成分和掺杂成份，其特征在于，主要成分和掺杂成份皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主要成分为：Fe2O3    50mol%，NiO 20mol%～30mol%，ZnO 15mol%～25mol%，CuO      5mol%；以重量百分比计算，掺杂成份为：CoO     0～1.2wt%，V2O5    0～1.2wt%。