[发明专利]一种具有背镀结构的发光二极管无效
| 申请号： | 201210145431.8 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102646772A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张雄;陈洪钧;许洁;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有背镀结构的发光二极管，包括p电极、n电极和具有非出光面与出光面的衬底，在衬底的出光面上顺序设有n型GaN层、量子阱、p型GaN层和铟锡氧化物层和钝化层，p电极位于铟锡氧化物层的上表面，n电极位于n型GaN层7的上表面，所述的衬底的非出光面上设置有布拉格反射层，该布拉格反射层由三氧化二铝层和二氧化钛层交替排列组成，且相邻的三氧化二铝层和二氧化钛层之间相互贴覆；三氧化二铝层的折射率小于二氧化钛层的折射率。该结构的发光二极管可以提高LED的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有背镀结构的发光二极管，包括p电极（1）、n电极（6）和具有非出光面与出光面的衬底（8），在衬底（8）的出光面上顺序设有n型GaN层（7）、量子阱（2）、p型GaN层（5）和铟锡氧化物层（4）和钝化层（3），p电极（1）位于铟锡氧化物层（4）的上表面，n电极（6）位于n型GaN层（7）的上表面，其特征在于，所述的衬底（8）的非出光面上设置有布拉格反射层（9），该布拉格反射层（9）由三氧化二铝层（91）和二氧化钛层（92）交替排列组成，且相邻的三氧化二铝（91）层和二氧化钛层（92）之间相互贴覆；三氧化二铝层（91）的折射率小于二氧化钛层（92）的折射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210145431.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
