[发明专利]一种太阳电池用单晶硅片表面改性方法

摘要

本发明为克服减反射膜工艺和表面织构工艺的不足，提供了一种太阳电池用单晶硅片表面改性方法，用于制备对太阳光谱具有选择性吸收的单晶硅片，采用的技术方案是：将单晶硅片置于腐蚀溶液中，然后向其中加入具有催化活性的金属离子化合物，同时控制反应的温度和时间，通过离子催化作用对单晶硅片进行表面改性，获得对太阳光谱具有选择性吸收的单晶硅片，经处理后的单晶硅片对波长在350nm～1000nm内的平均反射率低至9%以下，对波长在1100nm～2500nm内的平均反射率高达56%以上。

主权项

一种太阳电池用单晶硅片表面改性方法，其特征在于，将单晶硅片置于腐蚀溶液中，然后向其中加入具有催化活性的金属离子化合物，同时控制反应的温度和时间，通过离子催化作用对单晶硅片进行表面改性，获得对太阳光谱具有选择性吸收的单晶硅片；所述的腐蚀液中添加的金属离子化合物是指硝酸银；所述的离子刻蚀反应的温度为10～50摄氏度；所述的离子刻蚀反应时间为25～40分钟；所述的腐蚀溶液为浓硝酸，氢氟酸，去离子水所组成的混合溶液，浓硝酸的质量百分浓度为60～70%，其中氢氟酸的重量百分浓度为25～35%，浓硝酸/氢氟酸/去离子水的混合体积比为1:1:1.5～1:1.5:2。