[发明专利]一种ESD电路保护结构有效
| 申请号： | 201210133340.2 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103036220A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 邓樟鹏;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ESD电路保护结构，包括：ESD信号判断电路，其端口一接电源，端口二接信号选择电路，端口三接IO端，能检测判断IO端是否有ESD事件发生，并输出判断信号至所述信号选择电路；信号选择电路，其端口一、端口二分别连接所述ESD信号判断电路的端口二和内部电路的控制信号，其端口三输出信号至驱动NMOS的栅极；其能对输入信号进行选择，当判断IO端有ESD事件发生，其输出信号为低电平；当判断IO端无ESD事件发生，其输出信号为内部电路的控制信号；驱动NMOS，其漏极接IO端，其源极接地；ESD NMOS，其栅极通过一电阻接地，其漏极接IO端，其源极接地。本发明的ESD保护结构能解决现有IO ESD保护电路在驱动NMOS导通态下无法有效保护电路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd 电路 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种ESD电路保护结构，其特征是，包括：ESD信号判断电路，其端口一接电源，端口二接信号选择电路，端口三接IO端，能检测判断IO端是否有ESD事件发生，并输出判断信号至所述信号选择电路；信号选择电路，其端口一、端口二分别连接所述ESD信号判断电路的端口二和内部电路的控制信号，其端口三输出信号至驱动NMOS的栅极；其能对输入信号进行选择，当判断IO端有ESD事件发生，其输出信号为低电平；当判断IO端无ESD事件发生，其输出信号为内部电路的控制信号；驱动NMOS，其漏极接IO端，其源极接地；ESD NMOS，其栅极通过一电阻接地，其漏极接IO端，其源极接地。
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