[发明专利]III-V族半导体直流变压器及其形成方法

摘要

本发明提出一种III‑V族半导体直流变压器及其形成方法，其中III‑V族半导体直流变压器包括：隔离层，隔离层为透明绝缘介质；形成在隔离层一侧的多个III‑V族半导体发光二极管，多个III‑V族半导体发光二极管中的至少一部分相互串联；形成在隔离层一侧的多个III‑V族半导体光电池，多个III‑V族半导体光电池中的至少一部分相互串联，其中，III‑V族半导体发光二极管与III‑V族半导体光电池的工作光线匹配，且隔离层对工作光线透明，III‑V族半导体发光二极管的数目与III‑V族半导体光电池的数目不同以实现直流变压。根据本发明的III‑V族半导体直流变压器具有耐高压、无电磁辐射、无线圈结构、安全可靠、传输效率高等优点。

主权项

一种III‑V族半导体直流变压器，其特征在于，包括：隔离层，所述隔离层为透明绝缘介质；形成在所述隔离层一侧的多个III‑V族半导体发光二极管，所述多个III‑V族半导体发光二极管中的至少一部分相互串联，所述多个III‑V族半导体发光二极管用于将电能转换为光能，发出特定颜色的工作光线；形成在所述隔离层一侧的多个III‑V族半导体光电池，所述多个III‑V族半导体光电池中的至少一部分相互串联，所述多个III‑V族半导体光电池吸收特定颜色所述工作光线，用于将所述光能转换为所述电能，其中，所述III‑V族半导体发光二极管与所述III‑V族半导体光电池的所述工作光线频谱匹配，且所述隔离层对所述工作光线透明，所述III‑V族半导体发光二极管的数目与所述III‑V族半导体光电池的数目呈比例以实现直流变压，所述III‑V族半导体发光二极管包括：III‑V族半导体有源发光层；形成在所述III‑V族半导体有源发光层的远离所述隔离层一侧的第一P型接触层；形成在所述III‑V族半导体有源发光层的接近所述隔离层一侧的第一N型接触层；形成在所述第一P型接触层上的第一电极层；以及形成在所述第一N型接触层上的第二电极层。