[发明专利]检测器的制造方法、放射线检测装置和放射线检测系统

摘要

本发明涉及检测器的制造方法、放射线检测装置和放射线检测系统。提供一种用于在不伴随掩模数量的增加而增加成本或降低产量的情况下制造高性能平面型检测器的方法。该方法包括从在基板上沉积的第一导电膜形成第一电极和控制电极的第一步骤；在第一步骤之后依次沉积绝缘膜和半导体膜的第二步骤；在第二步骤之后依次沉积杂质半导体膜和第二导电膜并且从第二导电膜形成共用电极布线和第一导电部件的第三步骤；以及用同一掩模从在第三步骤之后形成的透明导电氧化物膜形成第二电极和第二导电部件并从杂质半导体膜形成杂质半导体层的第四步骤。

主权项

一种用于制造检测器的方法，所述检测器包括：光电转换元件，所述光电转换元件在基板上按照从基板开始的顺序包含第一电极、绝缘层、半导体层、杂质半导体层、以及与电极布线电连接的第二电极；以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在基板上按照从基板开始的顺序包含控制电极、绝缘层、半导体层、杂质半导体层、以及包含第一导电部件和第二导电部件的第一和第二主电极，所述方法包括：第一步骤，在基板之上沉积包含非惰性金属的第二导电膜，以便覆盖杂质半导体膜，并且从第二导电膜形成第一和第二主电极的第一导电部件以及所述电极布线；以及第二步骤，在第一步骤之后在基板之上沉积透明导电氧化物膜，以便覆盖所述杂质半导体膜、所述电极布线和所述第一导电部件，从所述透明导电氧化物膜形成第一和第二主电极的第二导电部件以及所述第二电极，并且从所述杂质半导体膜形成所述薄膜晶体管的杂质半导体层和所述光电转换元件的杂质半导体层，其中，第二导电部件、第二电极、所述薄膜晶体管的杂质半导体层、以及所述光电转换元件的杂质半导体层在第二步骤中用同一掩模被形成，并且其中，所述第一导电部件和所述电极布线在第一步骤中用另一掩模被形成。