[发明专利]具有应力保护结构的半导体结构与其形成方法有效
| 申请号： | 201210108912.1 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378028A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有应力保护结构的半导体结构，包括有基底、应力产生元件以及应力保护装置。基底具有第一表面以及第二表面，两个相对设置。应力产生元件设置在基底中。应力保护结构，设置在基底第一表面的一侧，应力保护结构包围应力产生元件，且应力保护结构内部具有密封的空气空间。本发明还提供了一种形成具有应力保护结构的半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 保护 结构 半导体 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有应力保护结构的半导体结构，其特征在于，包括：基底，具有第一表面以及第二表面，两个相对设置；应力产生元件，设置在所述基底中；以及应力保护结构，设置在所述基底的所述第一表面的一侧，所述应力保护结构包围所述应力产生元件，且所述应力保护结构内部具有密封的空气空间。
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