[发明专利]一种硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置及其方法有效

专利信息
申请号: 201210105734.7 申请日: 2012-04-11
公开(公告)号: CN102623332A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 张世波;徐国科;田达晰;邵成波;唐雪林;王海滨;陈健;厉惠宏 申请(专利权)人: 浙江金瑞泓科技股份有限公司
主分类号: H01L21/316 分类号: H01L21/316;H01L21/3105
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 宋缨;孙健
地址: 315800 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置及其方法,包括软膜(1)、夹具(2)和氢氟酸溶液槽(12),软膜(1)与硅单晶片(3)相互叠加放置在夹具(2)中部的空腔内并夹紧,夹具(2)的下端、氢氟酸溶液槽(12)的底部放置有底部支撑块(5),把硅单晶片(3)固定在两个软膜(1)之间,再通过夹具(2)加压,然后把夹具(2)一起浸没在氢氟酸溶液槽(12)内,浸泡一定时间之后使用把手(10)从溶液槽(12)中取出,打开夹具(2),把硅片取出夹具(2)。本发明所述的装置结构简单,操作方便,运行成本小,对氢氟酸可以长时间使用,有利于环保,适用于不同形状要求的二氧化硅薄膜的边缘剥离,适用于整成的大规模生产。
搜索关键词: 一种 晶片 二氧化硅 薄膜 剥离 装置 及其 方法
【主权项】:
一种硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置,包括软膜(1)、夹具(2)和氢氟酸溶液槽(12),其特征在于,所述的软膜(1)与硅单晶片(3)相互叠加放置在夹具(2)中部的空腔内并夹紧,所述的夹具(2)放置在充满了氢氟酸(13)的氢氟酸溶液槽(12)内并完全浸入氢氟酸(13)中,所述的夹具(2)的下端、氢氟酸溶液槽(12)的底部放置有底部支撑块(5)。
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