[发明专利]ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210105020.6 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102623604A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 施辉东;张兴旺;张曙光;尹志岗;董敬敬;刘鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上电极，该上电极制作在石墨烯层的一侧边缘上；一下电极，该下电极制作在p-GaN层一侧的台面上。石墨烯具有高达97％的可见光透射率和优异的导电性及机械性能，可以自然铺展于纳米棒之间而不轻易断裂，形成良好的接触和连接作用，因此是一种良好的透明电极材料。将化学气相沉积生长的大面积连续石墨烯转移到ZnO纳米棒阵列的上方，石墨烯在ZnO纳米棒的支撑下自然铺展，简单地形成发光二极管的电极层，同时还能起到电流扩展层的作用。 | ||
| 搜索关键词： | zno 纳米 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p‑GaN层，该p‑GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p‑GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上电极，该上电极制作在石墨烯层的一侧边缘上；一下电极，该下电极制作在p‑GaN层一侧的台面上。
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