[发明专利]一种NAND闪存有效
| 申请号： | 201210104010.0 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103365791A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;丁冲;张现聚 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 栗若木;曲鹏 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NAND闪存，包括：存储单元；串行接口，包括第一串行端口和第二串行端口；片选使能信号输入端口，用于接收片选使能信号；控制单元，用于片选使能信号为低电平时，指示所述第一串行端口接收输入数据；当接收完输入数据后，指示所述第二串行端口输出地址对应的所述存储单元的数据。本发明能够为NAND闪存提供不同的接口，提升芯片应用的灵活性和范围；减少IO数量，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 | ||
【主权项】：
一种NAND闪存，包括：存储单元；其特征在于，还包括：串行接口，包括第一串行端口和第二串行端口；片选使能信号输入端口，用于接收片选使能信号；控制单元，用于片选使能信号为低电平时，指示所述第一串行端口接收输入数据；当接收完输入数据后，指示所述第二串行端口输出地址对应的所述存储单元的数据。
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