[发明专利]基于硅通孔技术的硅晶圆直接键合的微机械陀螺仪有效
| 申请号： | 201210094531.2 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102607543A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郭述文 | 申请（专利权）人： | 苏州文智芯微系统技术有限公司 |
| 主分类号： | G01C19/56 | 分类号： | G01C19/56 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于硅通孔技术的硅晶圆直接键合的微机械陀螺仪，其包括硅-硅直接键合的三层硅晶圆层，依次为固定电极晶圆层、质量块晶圆层、封盖晶圆层；固定电极晶圆层为通孔硅晶圆层，其具有多个垂直于通孔硅晶圆层的通孔硅电极，相邻的通孔硅电极之间具有垂直于通孔硅晶圆层的通孔硅绝缘层；质量块晶圆层包括一对左右对称的扇形质量块，扇形质量块形成质量块电极，质量块晶圆层采用硅-硅直接键合方式通过单锚点对称悬挂于固定电极晶圆层的下方；质量块电极与通孔硅电极形成可变电容的两个极。本发明采用通孔硅作为可变电容传感器结构的电极材料并采用硅-硅直接键合方式，可将热应力降至最小，还提升了传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅通孔 技术 硅晶圆 直接 微机 陀螺仪 | ||
【主权项】：
一种基于硅通孔技术的硅晶圆直接键合的微机械陀螺仪，其特征在于：其包括硅‑硅直接键合的三层硅晶圆层，所述的三层硅晶圆层依次为固定电极晶圆层、质量块晶圆层、封盖晶圆层；所述的固定电极晶圆层为通孔硅晶圆层，其具有多个垂直于所述的通孔硅晶圆层的通孔硅电极，相邻的通孔硅电极之间具有垂直于所述的通孔硅晶圆层的通孔硅绝缘层；所述的质量块晶圆层包括一对左右对称的扇形质量块，所述的扇形质量块形成质量块电极，所述的质量块晶圆层采用硅‑硅直接键合方式通过单锚点对称悬挂于所述的固定电极晶圆层的下方；所述的扇形质量块绕所述的单锚点做旋转式微幅振动；所述的质量块电极与所述的通孔硅电极形成可变电容的两个极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州文智芯微系统技术有限公司，未经苏州文智芯微系统技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210094531.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用具有大数值孔径的微透镜阵列制造工艺
- 下一篇：具有场板的半导体器件
