[发明专利]纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201210093601.2 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102610715A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 荧光粉 氮化 白光 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n‑GaN层；步骤3：在n‑GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p‑GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n‑GaN层内，形成台面；步骤8：在n‑GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p‑GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。
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