[发明专利]一种防止铝垫腐蚀的方法有效
| 申请号： | 201210090329.2 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102637580A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 胡学清;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种防止铝垫腐蚀的新方法，包括：对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片允收测试；目检；出货，其中，还包括工艺步骤为，在晶片允收测试工步与目检工步之间实施对铝垫进行无定形碳淀积以及等离子体灰化和清洗。通过使用本发明一种防止铝垫腐蚀的新方法，有效地通过对铝垫进行无定形碳淀积以防止铝垫受到水汽与卤素等因素的影响，同时大大的延长了晶片的保存时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种防止铝垫腐蚀的新方法，包括：对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片允收测试；目检；出货，其特征在于，还包括工艺步骤为，在晶片允收测试工步与目检工步之间实施对铝垫进行无定形碳淀积以及等离子体灰化和清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
