[发明专利]一种使用铟和微针锥结构的热压缩芯片低温互连方法

摘要

本发明提供一种使用铟和微针锥结构的热压缩芯片低温互连方法，包括芯片到基片，及芯片与芯片堆叠互连方法，在芯片焊盘制备表面覆盖有金属铟薄层的针锥阵列层，并将其与带有第二金属凸点的基片接触施压，随后加热至铟熔点之上保持一定时间，利用熔融的铟填充针锥与第二金属镶嵌的间隙，并与第二金属之间产生固液反应生成高熔点金属间化合物，从而消耗铟层来实现紧密键合，该方法通用性强，无需助焊剂，工艺流程简单，能明显降低现有倒装焊工艺温度。

主权项

一种使用铟和微针锥结构的热压缩芯片低温互连方法，其特征在于，包括芯片到基片的粘接互连方法，或者芯片与芯片的叠层垂直互连方法，其步骤如下：1)、选择表面具有电互连焊盘金属块的第一芯片；2)、选择具有与第一芯片电互连焊盘区域相对应焊盘的基片或第二芯片；3)、在第一芯片焊盘区域制备镍微针锥层及铟层；4)、在基片或者第二芯片焊盘区域制备金属凸点，包括下层的第一金属柱和表面覆盖的第二金属帽；5)、接合第一芯片与基片，或者第一芯片与第二芯片，包括将第一芯片和基片表面对准，或者第一芯片和第二芯片表面对准，使得多个带有金属帽的凸点与芯片表面上各个微针锥区域匹配；以及把接触区域加热到一定的温度，并使两侧接触压缩以完成第一芯片到基片的焊盘区域电互连键合，或者第一芯片到第二芯片的叠层垂直互连。