[发明专利]薄膜器件及其制造方法和图像显示装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210080761.3 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102738393A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 福田敏生;石井由威 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了薄膜器件、该薄膜器件的制造方法以及图像显示装置的制造方法。所述薄膜器件的制造方法包括以下步骤：通过涂布法在支撑基底上形成第一基板，所述第一基板是使用树脂材料形成的；通过使用热固性树脂或能量射线固化型树脂在所述第一基板上形成第二基板；在所述第二基板上形成有源元件；并且从所述第一基板去除所述支撑基底，其中，用于形成所述第一基板的树脂材料具有至少180℃的玻璃态转变温度。所述图像显示装置的制造方法包括所述薄膜器件的制造方法。因此，本发明能够在不用大型制造设备的情况下通过简单容易的工艺制造所述薄膜器件。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 及其 制造 方法 图像 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜器件的制造方法，所述方法包括以下步骤：通过涂布法在支撑基底上形成第一基板，所述第一基板是使用树脂材料形成的；通过使用热固性树脂或能量射线固化型树脂在所述第一基板上形成第二基板；在所述第二基板上形成有源元件；并且从所述第一基板去除所述支撑基底，其中，用于形成所述第一基板的所述树脂材料具有至少180℃的玻璃态转变温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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