[发明专利]一种Hf基复合高k栅介质薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210079826.2 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102618828A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 余涛;金成刚;吴雪梅;诸葛兰剑 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Hf基复合高k栅介质薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)采用双离子束溅射沉积系统，将其本底真空调成3×10-4~5×10-4Pa，工作气压调成3.0×10-2~3.2×10-2Pa；(b)辅源干法清洗；(c)辅源对衬底表面进行钝化处理；(d)沉积薄膜；即可得到Hf基复合高k栅介质薄膜。采用本发明制得的高k栅介质薄膜的表面非常均一平整，表面均方根粗糙度RMS仅有0.16nm，结晶温度高达1100℃，具有优异的C-V饱和特性，几乎可忽略的C-V滞回现象；因而为最终制备出满足45~32nm以下技术节点CMOS应用的高k材料体系，奠定坚实的材料和技术基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hf 复合 介质 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Hf基复合高k栅介质薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a) 采用双离子束溅射沉积系统，将其本底真空调成3×10‑4 ~5×10‑4 Pa，工作气压调成3.0×10‑2~3.2×10‑2 Pa；(b) 辅源干法清洗：将辅源通入Ar气，在清洗前期，采用离子能量为200~300eV，离子束流15~20mA进行离子轰击清洗衬底，时间为1~2min；然后将离子能量调为80~100eV，离子束流调为8~10mA，继续进行离子轰击，进一步抛光衬底表面；(c) 辅源对衬底表面进行钝化处理：将辅源通入Ar和N的混合气体，Ar：N2为2~3：1；采用离子能量100~150eV，离子束流8~10mA，溅射衬底表面1~3min；(d) 沉积薄膜：主源以离子能量700~800eV，离子束流45~50mA溅射靶材，辅源在薄膜沉积前30s时间里为关闭状态，30s后开启辅源，并以离子能量150~200eV，离子束流12~15mA溅射衬底；即可得到Hf基复合高k栅介质薄膜。
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