[发明专利]一种片上自校准高精度带隙基准电路无效
| 申请号： | 201210076358.3 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102591396A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 高静;孙烨辉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 温国林 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片上自校准高精度带隙基准电路，电流源一端与片外参考电阻的一端相连，片外参考电阻的另一端接地，电流源的另一端接电源；第一可编程电流源的一端分别片内多晶硅电阻的一端和数字逻辑电路相连，片内多晶硅电阻的另一端接地，第一可编程电流源的另一端接电源，片内多晶硅电阻的一端和比较器的正极性端相连；第二可编程电流源的一端分别与阱电阻的一端和数字逻辑电路相连，阱电阻的另一端接地，第二可编程电流源的另一端接电源，阱电阻的一端和比较器的正极性端相连；参考电平和比较器的负极性端相连；比较器的输出端和数字逻辑电路相连，数字逻辑电路输出校准码。本发明降低了工艺难度和工艺成本，提高了基准电压源的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 校准 高精度 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种片上自校准高精度带隙基准电路，其特征在于，所述电路包括：电流源(3)、第一可编程电流源(1)、第二可编程电流源(2)、数字逻辑电路(4)、比较器(5)、片外参考电阻(Rref)、片内多晶硅电阻(Rpoly)和阱电阻(Rnwell)，所述电流源(3)的一端与所述片外参考电阻(Rref)的一端相连，所述片外参考电阻(Rref)的另一端接地，所述电流源(3)的另一端接电源(VDD)；所述第一可编程电流源(1)的一端分别与所述片内多晶硅电阻(Rpoly)的一端和所述数字逻辑电路(4)相连，所述片内多晶硅电阻(Rpoly)的另一端接地，所述第一可编程电流源(1)的另一端接所述电源(VDD)，所述片内多晶硅电阻(Rpoly)的一端和所述比较器(5)的正极性端相连；所述第二可编程电流源(2)的一端分别与所述阱电阻(Rnwell)的一端和所述数字逻辑电路(4)相连，所述阱电阻(Rnwell)的另一端接地，所述第二可编程电流源(2)的另一端接所述电源(VDD)，所述阱电阻(Rnwell)的一端和所述比较器(5)的正极性端相连；所述参考电平(Vref)和所述比较器(5)的负极性端相连；所述比较器(5)的输出端和所述数字逻辑电路(4)相连；所述数字逻辑电路(4)输出校准码，其中，所述数字逻辑电路(4)具体为逐次逼近数字逻辑电路。
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