[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的制备方法有效
| 申请号： | 201210075757.8 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103318868A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李杰;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将单壁碳纳米管薄膜结构设置于基体，单壁碳纳米管薄膜结构包括金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管；将一高分子材料层设置于单壁碳纳米管薄膜结构上，形成复合结构，高分子材料层包覆每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；利用电子束轰击的方法除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，使金属性单壁碳纳米管暴露；除去金属性单壁碳纳米管；除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 性单壁碳 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一第一表面；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将该单壁碳纳米管薄膜结构设置于所述基体的第一表面，所述单壁碳纳米管薄膜结构包括多个单壁碳纳米管，该多个单壁碳纳米管由金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管组成；将一高分子材料层设置于所述单壁碳纳米管薄膜结构上，形成一复合结构，所述高分子材料层包覆单壁碳纳米管中的每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；利用电子束轰击的方法除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，从而使金属性单壁碳纳米管暴露；除去所述金属性单壁碳纳米管；除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。
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