[发明专利]硅锭及其制造装置和方法、硅晶圆、太阳能电池和硅零件有效
申请号: | 201210074025.7 | 申请日: | 2012-03-20 |
公开(公告)号: | CN102691101A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 二田伸康;中田嘉信;池田洋 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社;三菱材料电子化成株式会社 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B11/00;C30B29/06;B22D27/04 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 齐葵;王诚华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件,所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且结晶的成长方向稳定的硅锭。硅锭制造装置具备有保持硅熔液的坩埚、加热该坩埚的加热器及朝向所述坩埚内供给惰性气体的惰性气体供给构件,所述硅锭制造装置特征在于,具有载置于所述坩埚上的盖,所述盖具有:载置部,载置于所述坩埚的侧壁上面;檐部,从所述坩埚的侧壁外边向外侧突出;及开口部,沿厚度方向贯穿,所述檐部配设于所述坩埚的侧壁上端的10%以上区域的外周侧,且从所述侧壁上端外边的突出长度成为50mm以上,所述开口部配设成所述坩埚的侧壁上端面的50%以上的区域相对于所述加热器露出。 | ||
搜索关键词: | 及其 制造 装置 方法 硅晶圆 太阳能电池 零件 | ||
【主权项】:
一种硅锭制造装置,具备有保持硅熔液的坩埚、加热该坩埚的加热器及朝向所述坩埚内供给惰性气体的惰性气体供给构件,所述硅锭制造装置的特征在于,具有载置于所述坩埚上的盖,所述盖具有:载置部,载置于所述坩埚的侧壁上面;檐部,从所述坩埚的侧壁外边向外周侧突出;及开口部,沿厚度方向贯穿,所述檐部配设于所述坩埚的侧壁上端的10%以上区域的外周侧,且从所述侧壁上端外边的突出长度为50mm以上,所述开口部配设成所述坩埚的侧壁上端面的50%以上区域相对于所述加热器露出。
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