[发明专利]一种大功率半导体激光器过渡热沉及其制备方法有效
| 申请号： | 201210073535.2 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103326234A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王娜;李沛旭;夏伟;汤庆敏 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大功率半导体激光器过渡热沉及其制备方法，该过渡热沉包括基板、金属过渡层和焊料附着层；所述的基板为SiC晶片，该SiC晶片上表面和下表面分别依次蒸镀有钛或铬金属过渡层、金焊料附着层，上、下表面分别为A面、B面，A面上制作有绝缘槽。制备方法包括：SiC晶体线切割成晶片；清洗；SiC晶片表面金属化；将已金属化的晶片A面刻蚀绝缘槽；分割成单个激光器过渡热沉。本发明的基于SiC晶体的大功率激光器过渡热沉的导热性能优于氮化铝陶瓷基板的过渡热沉，大小尺寸精确，可根据大功率激光器封装需要灵活确定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 半导体激光器 过渡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器过渡热沉，包括基板、金属过渡层和焊料附着层；其特征在于，所述的基板为SiC晶片，该SiC晶片上表面和下表面分别依次蒸镀有钛或铬金属过渡层、金焊料附着层，金焊料附着层的上、下表面分别为A面、B面，A面上制作有绝缘槽。
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