[发明专利]具有MOSFET和IGBT的电路布置有效
| 申请号： | 201210068118.9 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102684661A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | G.德博伊;W.勒斯勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有MOSFET和IGBT的电路布置。一种电路包括至少一个FET和至少一个IGBT，它们的负载路径并联连接。限压电路耦合到至少一个IGBT的栅极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mosfet igbt 电路 布置 | ||
【主权项】：
一种电路，包括：输入端子和输出端子；至少一个FET，具有栅极端子和漏极‑源极路径，所述漏极‑源极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间；至少一个IGBT，具有栅极端子和集电极‑发射极路径，所述集电极‑发射极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间；限压电路，耦合到所述至少一个IGBT的栅极端子并且被配置为当跨越所述集电极‑发射极路径的电压达到阈值电压时将所述至少一个IGBT驱动到接通状态；以及控制电路，具有耦合到所述至少一个FET的栅极端子的第一驱动输出。
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