[发明专利]制作太阳能电池的方法有效
申请号: | 201210063161.6 | 申请日: | 2012-03-08 |
公开(公告)号: | CN102593259A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 胡雁程;陈人杰;吴振诚 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种制作太阳能电池的方法,包括利用掺杂胶于半导体基底的第一表面形成选择性射极,并藉由掺杂胶的屏障使选择性射极具有非粗糙化表面,以及利用粗糙化阻障层使半导体基底的第二表面具有非粗糙化表面。 | ||
搜索关键词: | 制作 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种制作太阳能电池的方法,包括:提供一半导体基底,其中所述半导体基底包括一第一表面与一第二表面,且该第一表面具有一选择性射极区域;于所述半导体基底的选择性射极区域内的第一表面上形成一掺杂胶,且所述掺杂胶包括一掺杂剂、一耐高温材料及一有机溶剂;于所述半导体基底的第二表面形成一粗糙化阻障层;对所述半导体基底进行一粗糙化处理,以使位于选择性射极区域外未被掺杂胶覆盖的半导体基底的第一表面形成一粗糙化表面,并使半导体基底的第二表面于粗糙化处理之后具有一平坦表面;进行一扩散制程,以使位于选择性射极区域内的掺杂胶的掺杂剂向下方扩散至第一表面内而形成具有重掺杂的一选择性射极,以及于该扩散制程中通入一掺杂气体以于位于选择性射极区域外的第一表面形成一轻掺杂区,其中所述选择性射极与所述轻掺杂区具有一第一掺杂类型;移除所述掺杂胶与所述粗糙化阻障层;于所述半导体基底的第一表面上形成一抗反射层;于所述选择性射极区域内的选择性射极上形成一第一电极;于所述半导体基底的第二表面形成一掺杂区,其中该掺杂区具有一第二掺杂类型,且所述第一掺杂类型的极性不同于所述第二掺杂类型的极性;以及于所述半导体基底的第二表面上形成一第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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