[发明专利]一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201210062507.0 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102611405A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 陈希明;张倩;阴聚乾;朱宇清;李福龙;郭燕;孙连婕 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H03H3/08 | 分类号: | H03H3/08;H03H9/25;H03H9/02 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300384 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜,为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构,其制备方法是:将表面清洗干净的单晶硅基片放入脉冲激光系统的真空生长腔中,以石墨、铝为靶材,沉积类金刚石/铝薄膜;然后以氧化锌为靶材,采用射频磁控溅射工艺,在Al膜表面沉积氧化锌薄膜。本发明的优点是:制备工艺简单易行,成本低廉;所制备的类金刚石薄膜表面光滑平整,可大大降低声波在传输过程中的损耗,沉积的Al薄膜大大提高了氧化锌薄膜的机电耦合系数,氧化锌薄膜结晶度高,c-轴取向高,该ZnO/Al/DLC复合薄膜结构可用于制作高性能,高频和大功率器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 表面波 器件 氧化锌 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜,其特征在于:为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学,未经天津理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210062507.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种内螺旋蒸发器
- 下一篇:一次性自动止液输液器及其制备方法