[发明专利]染料敏化太阳能电池的叠层纳米半导体薄膜电极无效
| 申请号： | 201210062398.2 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102592838A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;李博洋;杨飞;王旭;王漪;康晋锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的叠层纳米半导体薄膜电极，涉及染料敏化太阳能电池技术领域，所述电极包括导电基底，还包括在所述导电基底的上表面从下至上依次设置的第一纳米薄膜层、第二纳米薄膜层、以及第三纳米薄膜层，所述第一纳米薄膜层、第二纳米薄膜层、以及第三纳米薄膜层中的纳米颗粒直径依次逐渐增大。本发明通过所述第一纳米薄膜层、第二纳米薄膜层、以及第三纳米薄膜层中的纳米颗粒直径依次逐渐增大的梯度结构设计，增强了太阳光的散射作用，从而提高了纳米半导体薄膜电极对太阳光的利用率，以增大DSSC的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 染料 太阳能电池 纳米 半导体 薄膜 电极 | ||
【主权项】：
一种染料敏化太阳能电池的叠层纳米半导体薄膜电极，其特征在于，所述电极包括导电基底，还包括在所述导电基底的上表面从下至上依次设置的第一纳米薄膜层、第二纳米薄膜层、以及第三纳米薄膜层，所述第一纳米薄膜层、第二纳米薄膜层、以及第三纳米薄膜层中的纳米颗粒直径依次逐渐增大。
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