[发明专利]一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件有效
申请号: | 201210052097.1 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN103296465B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;栾琳;郭洁;余铨强 | 申请(专利权)人: | 深圳光启创新技术有限公司 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;G01R33/56;A61B5/055 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人: | 蔡纯,高青 |
地址: | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件,负磁导率超材料包括基板及多个周期性阵列排布在基板两侧的第一人造微结构和第二人造微结构,第一人造微结构和第二人造微结构通过一个金属过孔相连,第一人造微结构和第二人造微结构上覆有保护层,第一人造微结构和第二人造微结构为一方形螺绕环。采用本发明可以大大降低超材料的谐振频率,另外,由于超材料中的人造微结构为磁性微结构,通过设计磁性微结构在负磁导率条件下的频率与MRI成像设备工作频率相同时,能使接收线圈接收到的磁信号得到增强,从而增强成像效果,制成MRI磁信号增强器件,对于超材料产业的发展具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁导率 材料 mri 信号 增强 器件 | ||
【主权项】:
一种负磁导率超材料,包括基板及多个周期性阵列排布在基板两侧的第一人造微结构和第二人造微结构,其特征在于,所述第一人造微结构和第二人造微结构通过一个金属过孔相连,所述第一人造微结构和第二人造微结构为一方形螺绕环,所述第一人造微结构和所述第二人造微结构的嵌套圈数大于等于一圈,使得所述第一人造微结构和第二人造微结构的等效电感值、等效电容值增大,其中,所述第一人造微结构和第二人造微结构的线宽和线间距相等,所述第一人造微结构和第二人造微结构的长度和宽度不大于工作波长的五分之一。
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