[发明专利]SRAM共享接触孔的形成方法

摘要

本发明提供了一种SRAM共享接触孔的形成方法，以及一种减小SRAM单元漏电流的方法，并在此基础上，提供了一种SRAM单元，在沉积接触孔刻蚀停止层之前，先沉积一层刻蚀阻挡层，在共享接触孔刻蚀过程中，采用高沉积接触孔刻蚀停止层/第一刻蚀阻挡层选择比的刻蚀方法，使得共享接触孔刻蚀首先停在碳化硅薄膜之上，然后采用高第一刻蚀阻挡层/硅选择比的刻蚀方法，去除碳化硅薄膜，完成共享接触孔刻蚀。刻蚀后共享接触孔之下的侧墙仍然保留，共享接触孔不会直接停在轻掺杂区域之上，从而减小了SRAM的漏电。

主权项

一种SRAM共享接触孔的形成方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供衬底，衬底中包括有源区、浅沟槽和掺杂区，浅沟槽与掺杂区不接触；在衬底上形成有多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧形成侧墙；掺杂区包括重掺杂区和侧墙下方的轻掺杂区；步骤2，在衬底、多晶硅栅极以及侧墙上方沉积第一刻蚀阻挡层；步骤3，在第一刻蚀阻挡层上方依次沉积第二刻蚀阻挡层和层间介质；步骤4，在多晶硅栅极和掺杂区上方进行接触孔刻蚀工艺，形成共享接触孔，刻蚀过程中，第二刻蚀阻挡层与第一刻蚀阻挡层刻蚀速度比大于1，使共享接触孔刻蚀停止在第一刻蚀阻挡层；步骤5，进一步刻蚀，刻蚀过程中，第一刻蚀阻挡层与硅刻蚀速度比大于1，去除共享接触孔下方的第一刻蚀阻挡层，使共享接触孔刻蚀停止在多晶硅栅极、侧墙和掺杂区上表面。